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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容中的高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究

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高介薄型陶瓷芯片電容制備工藝研究⑤

2. 2　 過渡層厚度對器件性能的影響

面金屬電極與陶瓷介質(zhì)的接觸。 再將緩沖層厚度提高到 600 nm 后, 電容樣品表面包裹覆蓋情況進(jìn)一步提高, 已經(jīng)完全看不到裸露在外的陶瓷晶粒, 而且也看不見晶粒的輪廓, 整個緩沖層表面平整、 光滑且致密。因此從膜層覆蓋的情況來看, 膜層厚度在 400 nm 時已經(jīng)能比較好地覆蓋介質(zhì)陶瓷, 當(dāng)增加到 600 nm 后, 表面覆蓋更加完整, 已基本看不到表面晶粒的輪廓。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電  100pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-15-50V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

型號：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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