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射頻和微波開(kāi)關(guān)測(cè)試②

開(kāi)關(guān)種類(lèi)和構(gòu)造

繼電器內(nèi)的容性是限制開(kāi)關(guān)的信號(hào)頻率的常見(jiàn)因素。繼電器的材料和物理特性決定了其構(gòu)成的內(nèi)部電容。比如，在超過(guò) 40GHz 的射頻和微波開(kāi)關(guān)中，在機(jī)電繼電器中采用了特殊的接觸架構(gòu)來(lái)獲得更好的性能。圖 1 顯示了一個(gè)典型的構(gòu)造，共同端接位于兩個(gè)開(kāi)關(guān)端接之間。所有信號(hào)的連接線路都是同軸線，來(lái)保證最佳的信號(hào)完整性（SI）。在這種情況下，連接器是 sMA 母頭。對(duì)于更加復(fù)雜的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，共同端接被各個(gè)開(kāi)關(guān)端接以放射狀圍繞。一系列復(fù)雜的開(kāi)關(guān)拓?fù)湓?RF 開(kāi)關(guān)中得以采用。矩陣式開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)輸入與每個(gè)輸出的連接。有兩種類(lèi)型的矩陣在微波開(kāi)關(guān)架構(gòu)中得以采用一一 blocking 和 non bIocking 架構(gòu)。一個(gè) bIocking 矩陣可將任意一個(gè)輸入和任意一個(gè)輸出進(jìn)行連接，因此其他的輸入和輸出就不能同時(shí)連接。這對(duì)只需在一個(gè)時(shí)刻切換到一個(gè)信號(hào)頻率的應(yīng)用是一個(gè)有效的低成本方案，信號(hào)完整性也更好，因?yàn)橛懈俚睦^電器徑，特別是避免了相位延遲的問(wèn)題。而 non blocking 矩陣允許多個(gè)路徑的同時(shí)連接，這種架構(gòu)具有更多的繼電器和線纜，因此靈活性更強(qiáng)，不過(guò)價(jià)格也更高。層疊開(kāi)關(guān)架構(gòu)是多位置開(kāi)關(guān)的一種替代形式。它采用多個(gè)繼電器將一個(gè)輸入連接到多個(gè)輸出。路徑長(zhǎng)度（同時(shí)決定了相位延遲）是由信號(hào)經(jīng)過(guò)的繼電器數(shù)量決定的。樹(shù)形架構(gòu)是層疊開(kāi)關(guān)架構(gòu)的一種替代。相比層疊架構(gòu)，對(duì)于同等規(guī)格的系統(tǒng)，樹(shù)形技術(shù)需要更多的繼電器，然而，選定路徑和其他不用路徑之間的隔離會(huì)更好，降低了繼電器和通道之間的串?dāng)_

（crosstalk）。樹(shù)形架構(gòu)具備一些優(yōu)勢(shì)，包括無(wú)端接殘余（unterminatedstubs），各個(gè)通道特性也會(huì)相似。然而，在選定路徑上具有多個(gè)繼電器意味著損耗會(huì)更大，信號(hào)完整性也令人擔(dān)憂。RF 開(kāi)關(guān)卡架構(gòu)在測(cè)試儀器主機(jī)上的 RF 開(kāi)關(guān)卡應(yīng)用中，為保證信號(hào)完整性，需要理解串?dāng)_、插入損耗、 VSWR 以及帶寬、隔離許多電性能指標(biāo)。

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損耗: 0.6 dB
隔離度 : 50 dBm
控制電壓 : 控制電壓：±5 V

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電 0.1 to 40GHz, LXA4881 SP8T開(kāi)關(guān),射頻開(kāi)關(guān)

頻率 : 0.1 – 40 GHz

損耗: 1.5 dB

隔離度 : 60 dBm

控制電壓 : 控制電壓：±5 V

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